تم اختراع أول مصدر للضوء LED، باستخدام مبدأ انبعاث الضوء-لوصلة P-N من أشباه الموصلات، في أوائل الستينيات. وكانت المادة المستخدمة في ذلك الوقت هي GaAsP، التي ينبعث منها الضوء الأحمر ( lectp=650nm). مع تيار قيادة يبلغ 20 مللي أمبير، كان التدفق الضوئي مجرد بضعة أجزاء من الألف من اللومن، مما أدى إلى فعالية مضيئة تبلغ حوالي 0.1 لومن/واط.
في منتصف سبعينيات القرن العشرين، أدى إدخال عناصر In وN إلى تمكين مصابيح LED من إنتاج الضوء الأخضر (πp=555nm)، والأصفر (πp=590nm)، والبرتقالي (πp=610nm)، وتم تحسين فعالية الإضاءة إلى 1 لومن/واط.
في أوائل الثمانينيات، ظهرت مصادر ضوء GaAlAs LED، مما مكن مصابيح LED الحمراء من تحقيق فعالية مضيئة تبلغ 10 لومن/واط.
في أوائل التسعينيات، أدى التطوير الناجح لمادتين جديدتين-GaAlInP (التي ينبعث منها الضوء الأحمر والأصفر) وGaInN (التي ينبعث منها الضوء الأخضر والأزرق)- إلى تحسين فعالية الإضاءة لمصابيح LED بشكل ملحوظ. في عام 2000، أنتجت الأولى مصابيح LED ذات فعالية مضيئة تبلغ 100 لومن لكل واط في المناطق الحمراء والبرتقالية (μp=615nm)، بينما أنتجت الأخيرة مصابيح LED ذات فعالية مضيئة تبلغ 50 لومن لكل واط في المنطقة الخضراء (μp=530nm).
